错过HBM，重创芯片巨头

三星电子7月8日公布的第二季度财报，加剧了投资者对该公司在高性能内存和先进芯片制造领域地位的担忧。尽管这家韩国科技巨头积极扩张高带宽内存（HBM）和代工业务，但其表现仍不及竞争对手SK海力士和美光，这两家公司在整体内存市场疲软的情况下都取得了稳健的业绩。

三星的最新业绩表明，它在关键增长领域——尤其是对人工智能应用至关重要的组件HBM——正日益落后于竞争对手。尽管SK海力士和美光受益于不断增长的人工智能需求，并在高端内存领域占据领先地位，但三星在销售额和技术定位方面却正在下滑。

三星在其盈利预测中表示，其4-6月当季营收为74万亿韩元（531亿美元），营业利润为4.6万亿韩元（33亿美元），同比分别下降0.1%和55.9%。这些数字不仅低于市场普遍预期的6.3万亿韩元的营业利润，也低于近期下调的预测，凸显出投资者的失望情绪日益加深。

分析师将盈利不及预期主要归咎于HBM执行力不足。三星对第五代HBM3E生产的大胆押注，包括扩大产能和资本支出，但收效甚微。人工智能芯片市场的主要买家英伟达推迟了三星12层HBM3E的认证，导致库存膨胀和存储成本上升。

Meritz证券的Kim Sun-woo表示：“尽管第二季度智能手机表现稳健，但内存部门的HBM出货量有所下降，成本负担也随之增加，代工厂利用率也随之下降。” 他预计半导体部门的营业利润仅为4000亿韩元（2.87亿美元）。HBM的预计出货量仍然不高，在5亿至6亿千兆位之间，远低于目标。

认证落后，市场份额落后

韩国投资证券公司分析师 Chae Min-sook 指出，三星为英伟达提供的 HBM 认证已推迟至第三季度末。与此同时，SK 海力士和美光科技已瞄准 HBM4 认证，力争超越三星的当前一代产品。“在这场速度决定主导地位的竞争中，第三个进入市场可不是什么好事，”她说道。

三星的问题远不止HBM。尽管大幅减产，其NAND闪存业务在第二季度仍然未能盈利。分析师估计，由于该公司依赖商品化NAND领域，而该领域的需求依然疲软，亏损将超过3000亿韩元（约合2.16亿美元）。竞争对手已将重心转向企业级SSD，以缓解价格下跌的影响，但三星在转型方面却落后了。

代工问题加剧

代工厂和系统大规模集成电路（LSI）部门的亏损似乎也进一步加深。Meritz 估计，总亏损达 2.3 万亿韩元（16.5 亿美元），而 DS Investment Securities 则估计代工厂的单独亏损超过 2.1 万亿韩元。尽管获得了包括任天堂即将推出的 Switch 2 在内的一些遗留合同，但三星在吸引 3nm 和 5nm 先进节点客户方面仍然举步维艰。

而且这种差距可能会进一步扩大。作为芯片代工巨头，台积电的2纳米制程良率已达到60%，而三星的良率仅为30%至40%。业内人士警告称，随着三星试图在今年晚些时候提高2纳米制程产量，其2纳米制程的良率可能会出现波动和风险。

DRAM面临逆风

三星最大的收入来源——DRAM 业务——可能很快会面临定价压力。DS Investment Securities 的 Lee Su-rim 警告称，第四季度可能会出现回调，他表示：“关税相关的拉单和最后一刻的 DDR4 需求带来的积极影响可能会消退，而 DDR5 的溢价空间已经在缩小。”

为了重振势头，三星寄希望于推出其第六代10纳米级DRAM和下一代HBM产品线。然而，这一转变带来了巨大的执行风险。兴国证券的孙仁俊表示：“虽然完成基于1c工艺的DRAM的开发是一个里程碑，但良率和质量仍然是关键的未知数。只有到第三季度，我们才能知道三星能否将技术转化为具有竞争力的产量。”

战略十字路口

业内专家表示，三星在HBM和代工领域表现不佳的局面或许难以扭转。一位芯片行业资深高管表示：“自进入HBM3E领域以来，三星在市场份额和交付能力方面都远远落后于SK海力士和美光。英伟达认证的延迟表明他们落后了多少——三星今年不太可能迎头赶上。”