宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（六月）上

为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板块，为行业同仁打造一个全面、权威、高效的信息交流平台。每月更新，持续为行业赋能。

因篇幅限制，本期呈现内容为精选版本。完整版简报已同步发送至联盟成员单位邮箱，如您需获取完整版内容或有技术突破、项目进展、合作需求或行业活动需推广传播，欢迎与我们联系。让我们携手推进宽禁带半导体产业高质量发展！

2国家重点研发计划“高功率高相干金刚石激光器关键技术及应用合作攻关”项目启动

技术前沿

1晟光硅研杨森博士发表《新型双层通道散热器的传热性能研究》论文2河南科之诚在《半导体技术》发表硅基金刚石热沉研究成果——创新散热方式为GaN功率器件提供高性价比热管理解决方案3深圳平湖实验室：GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD20254深圳平湖实验室：自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功5深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管6西电/北大团队在AlN模板上开发出耐压大于8000V的HEMT器件7西电团队突破(110)金刚石同质外延生长瓶颈，开辟半导体新路径8宁波材料所开发出4英寸超薄、超低翘曲金刚石自支撑薄膜9Coherent金刚石-碳化硅材料破局散热瓶颈10瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果11清华大学提出一种集成P+缓冲层的分裂栅极SiC MOSFET新结构12复旦碳化硅器件新突破：成功制备两种布局1.7kV MOSFET13深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展14首个基于GaN HEMT的后处理金刚石15华东理科大学氮化镓晶圆检测研究新进展16安徽大学团队采用氮化镓突破电源功率密度极限，获得世界大奖17日本住友化学株式会社开发出GaN-on-GaN的量产型QF-HVPE系统18南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果19MIT新工艺实现高性能GaN晶体管“按需”集成硅芯片20美国高校：n型AlN器件最新突破22美国的康奈尔大学：用于下一代器件的AlYN势垒GaN HEMT1宽禁带联盟6项团体标准成功立项22025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办1中电化合物与甬江实验室展开AR眼镜用光学碳化硅晶片合作2宁波丞达精机携手科研力量，引领半导体设备创新3经纬恒润与长飞先进达成战略合作，共推国产SiC模块量产上车4纳微半导体携手法国BrightLoop打造下一代氢燃料电池充电解决方案5钧联电子与广汽高域联合开发eVTOL SiC控制器

企业动态/新产品/新技术

1镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底2宜普电源转换公司（EPC）宣布推出40V GaN FET3酷态科推出氮化镓充电宝，开启便携充电新体验4美的集团、合康新能：发布全GaN微型逆变器5兆易创新：500W微逆方案采用GaN6绿联推出全球首款500W GaN 桌面快充7国内首颗机器人关节“GaN 驱动器芯片”正式商用8理想汽车SiC MOS新技术，失效率降低一个数量级9阳光电源发布全球最大容量储能系统

多家企业投融资信息：

2苏州固锝加码投资中晶微电布局半导体领域4汉硅半导体：完成A+轮融资5基本半导体完成D++轮融资6福联集成完成A轮融资7斯达半导：再融15亿元，投向SiC等3大车规器件项目

宽禁带科技论

广东：加快华润微、方正微、粤芯、增芯等重大项目建设和产能爬坡

近日，广东省政务服务和数据管理局印发《数字广东建设 2025 年工作要点》，部署 6 大模块 50 项任务推进数字广东建设。其中，聚焦培育数字化发展引擎，提出发展半导体与集成电路产业：深化粤港澳大湾区量子科学中心等平台建设，实施 “广东强芯” 等工程，推进华润微、粤芯等重大项目建设及产能爬坡，补齐制造、封测短板，发展材料及装备产业，谋划光芯片创新平台，以提升数字产业发展能级，推动数字经济高质量发展。

《工作要点》提到，要发展新一代电子信息产业。支持龙头企业加强AI手机、AI PC等新兴产业技术研发。促进电子元器件高端化，加强北斗、虚拟现实等新兴产业培育。做好“链主”企业培育和重点电子整机企业跟踪服务。培育若干个新一代电子信息特色产业园区。

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国家重点研发计划“高功率高相干金刚石激光器关键技术及应用合作攻关”项目启动

近日，由河北工业大学教授白振旭承担的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“高功率高相干金刚石激光器关键技术及应用合作攻关”项目启动会暨实施方案论证会在天津召开。

项目聚焦金刚石激光技术面临的关键科学问题与工程技术瓶颈，围绕金刚石晶体“宽光谱透过率、高热导率、高非线性增益”等独特物理特性，系统开展以其为增益介质的高功率、高相干激光器核心技术攻关。项目致力于突破高功率条件下的效率提升、光束质量控制、噪声抑制与热管理等关键难题，全面提升金刚石激光器的性能水平，推动其在国家重大需求领域的工程化和产业化进程，对提升我国高端激光技术自主创新能力和国际竞争力具有重要战略意义。项目联合澳大利亚麦考瑞大学，以及中国科学院大学杭州高等研究院、天津大学、西安交通大学、哈尔滨工业大学（深圳）、中国计量大学、中国科学院大连化学物理研究所、宁波晶钻科技股份有限公司、北京凯普林光电科技股份有限公司等9家单位共同实施，构建了“优势互补、协同攻关”的战略合作新格局。

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晟光硅研杨森博士发表《新型双层通道散热器的传热性能研究》论文

近日，论文《Investigation of the heat transfer performance of a new double-layer channel heat sink》（新型双层通道散热器的传热性能研究）第一作者：博士杨森，在MECHANICS领域的Multi-Language学术期刊《Applied Thermal Engineering》正式见刊！

摘要：热流密度较高的电子设备的散热问题往往阻碍着电子设备的发展和信息技术的进步。因此，如何有效地传递这种散热就成为一个热点问题。因此，本研究提出了双层互补流道结构（Double Layer Complementary Flow Channels structure， DLCFC）的新思路，设计了两种新型双层液冷换热器。首先，结合实际经验对靠近受热面的下层流道进行了设计。然后设计上层的流道，上层的流道与下层的固体部分相对应，即上层的流道与下层的流道互相互补。在此基础上，采用该方法设计了上层五流道、下层六流道的换热器（DLCFC-56）。通过数值模拟的方法，研究了不同材料（SiC、铝、金刚石）和不同流动构型（同向流和交错流构型）的DLCFC-56的散热能力和流动性能，并与传统的上下两层都有5个流道的液冷换热器（THS-56）进行了比较。结果表明：当Re数为498.60时，DLCFC-56的受热表面平均温度和最高温度分别比THS -56降低4.26K和4.73K；交错流动结构可以显著改善温度均匀性，但随着导热系数的增加，这种优势逐渐降低。通过实验研究了DLCFC-56的换热性能和流动性能，结果表明模拟数据与实验数据吻合较好。最后，利用NAGA-Ⅱ算法对DLCFC-56的几何尺寸进行优化。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/r_qEKwidikqhRePv-q1wPA

河南科之诚在《半导体技术》发表硅基金刚石热沉研究成果——创新散热方式为GaN功率器件提供高性价比热管理解决方案

近日，河南科之诚第三代半导体碳基芯片有限公司于国内半导体领域核心期刊《半导体技术》发表题为《硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用》的研究论文，系统性研究、仿真并验证了硅基金刚石材料在GaN射频功放器件上的热管理效果。

经试验验证：1. 散热性能提升：硅基金刚石热沉导热效能显著优于传统钼铜基板，与单晶金刚石热沉性能相近，可有效解决5G基站等场景中GaN器件的散热瓶颈；2. 成本控制突破：通过在硅基衬底沉积纳米级金刚石薄膜，将热沉材料成本降至单晶金刚石的10%左右，为金刚石材料的规模化应用奠定基础。

该技术可解决高度集成、高功率GaN功放的散热难题，更有望应用于移动终端，提供高效的热管理解决方案。

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深圳平湖实验室：GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025

深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou，该研究不仅是深圳平湖实验室在GaN功率器件方向的最新研究成果，对商用化p-GaN栅HEMT器件的栅极结构设计提供理论指导。

该论文系统探究了p-GaN层Mg激活浓度对肖特基栅极HEMT器件开态跨导曲线峰演化的机制，阐明了Mg激活工艺对跨导特性的影响机制，为高性能p-GaN栅HEMT的设计优化提供了关键指导。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/8uqOPLACIMP1rhs2U45UbA

深圳平湖实验室：自主知识产权8英寸高性能沟槽栅SiC MOSFET芯片工艺平台流片成功

深圳平湖实验室联合深圳市鹏进高科技有限公司，在国产宽禁带半导体功率器件领域取得重大突破，成功攻克1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的核心技术难题，构建了8英寸工艺平台，实现了自主知识产权的高性能1200V沟槽栅SiCMOSFET芯片流片成功。其核心发明专利（专利公开号：CN118610269A）已经获得授权。这标志着我国在自主知识产权的第三代半导体关键器件研发与制造能力上迈上新台阶，将为新能源汽车、光伏储能、工业电源等广泛应用提供强劲而持久的“中国芯”动力。

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深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管

近日，深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG Daohua、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。

该研究是在没有离子注入和窄带隙材料（如二次外延）等改进欧姆接触电阻和加场板改进击穿电压的情况下，LGD为25 µm的HEMT器件的关态击穿电压和比导通电阻率分别为2045 V和1736 mΩ·cm2。增加LGD至50 µm，器件关态击穿电压和比导通电阻率将分别变为大于3kV和3012 mΩ·cm2。

研究团队表示，后续将继续优化材料性能、欧姆接触、2DEG方阻和器件结构及工艺，进一步提升器件性能。氮化铝HEMT器件的成功制备对加速我国在氮化铝器件方面的研究，突破功率器件功率密度低和散热差等技术瓶颈具有重要意义。

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西电/北大团队在AlN模板上开发出耐压大于8000V的HEMT器件

单晶氮化铝（AlN）模板是氮化镓（GaN）功率高电子迁移率晶体管（HEMTs）的理想候选材料，但目前相关系统性研究仍较为匮乏。本研究成功制备并系统评估了2英寸AlN模板上的高性能GaN HEMTs器件。研究团队通过在二次外延生长阶段引入AlN成核层，有效钝化了缓冲层/AlN衬底界面处由二次外延引入的Si与O杂质，使缓冲层横向漏电流密度显著降低五个数量级。实验结果表明，在100μm栅极间距条件下，器件实现了超过10 kV的超高横向耐压特性。未采用场板结构的HEMTs器件展现出卓越的击穿电压（>8 kV）和开关比（10⁹量级）。此外，动态导通电阻（RON）退化幅度被有效控制在20%以内，且在关态应力后阈值电压（Vth）仅发生10%的偏移。本研究展示的高性能GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）证明，单晶氮化铝（AlN）模板材料在制备高可靠性功率HEMT器件方面具有重要应用前景。

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西电团队突破(110)金刚石同质外延生长瓶颈，开辟半导体新路径

近日，西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术国家重点实验室郝跃院士团队张进成教授、张金风教授在国际知名期刊《Applied Surface Science》上发表了题为“Expansion growth of -oriented single crystal diamond”的最新研究成果，成功制备了扩大化生长的高质量（110）金刚石单晶。

该成果首次揭示了（110）金刚石厚单晶多晶面协同外延的生长机理，实现（110）金刚石的扩大化生长，填补了（110）金刚石外延生长研究的空白，为金刚石半导体的自选择生长提供了全新方法。这标志着（110）金刚石从基础研究迈向应用开发的关键一步。未来，通过优化生长参数、引入新型衬底结构，有望进一步扩大单晶尺寸、降低生产成本，推动金刚石在 5G 通信、航天器件、量子计算等战略领域的规模化应用。

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宁波材料所开发出4英寸超薄、超低翘曲金刚石自支撑薄膜

金刚石凭借其超高热导率成为解决高频大功率芯片散热难题的关键材料。将硅（Si）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等芯片直接键合到金刚石薄膜上，可大幅降低近结热阻和芯片结温，是未来高性能芯片及3D芯片封装热管理的理想方案。金刚石薄膜通常是在衬底上形核生长，然而，受限于现有工艺，薄膜与衬底之间以及薄膜内部存在较大应力，导致去除衬底后发生显著翘曲，难以满足键合工艺的翘曲度要求，成为制约其封装应用的核心瓶颈。

针对这一挑战，中国科学院宁波材料技术与工程研究所江南研究员领导的功能碳素材料团队通过创新技术，成功制备出4英寸、厚度小于100μm的金刚石自支撑薄膜。该自支撑薄膜在4英寸范围内翘曲度小于10μm；贴附于玻璃基板时形成自吸附，充分展现了其超高平整度和低应力特性。该类型金刚石自支薄膜的成功研制，为克服长期制约芯片键合制程的翘曲难题，推动金刚石在热管理领域的发展迈出了关键一步。

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Coherent金刚石-碳化硅材料破局散热瓶颈

随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的快速发展，芯片功耗不断攀升，散热问题已成为限制性能和可靠性的关键瓶颈。6月12日，美国Coherent（高意）宣布，推出一种开创性的金刚石负载碳化硅（SiC）陶瓷复合材料，旨在旨在应对先进AI数据中心和高性能计算（HPC）系统的热挑战。

Coherent此次发布的专利金刚石-碳化硅材料，其各向同性导热系数突破 800 W/m-K，导热性能是当前行业基准材料铜的两倍。此外，它还能与硅的热膨胀系数（CTE）高度匹配，这使其非常适合与半导体器件直接集成，为下一代计算设备的散热提供理想的解决方案。

这种复合材料专为耐用性和多功能性而设计，在很宽的温度范围内具有耐腐蚀性、电绝缘性和机械强度。它与直接液体冷却（DLC）系统完全兼容，可轻松集成到现代服务器架构和嵌入式冷却设计中。主要应用包括直接到芯片的散热、微通道冷板（单相和两相）、半导体器件基板以及铜基材料无法满足的其他先进解决方案。

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瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果

6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025）上，与浙江大学以大会全体报告的形式联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。

本次发表的10kV等级SiC MOSFET芯片，基于浙江瞻芯SiC晶圆厂的第三代平面栅工艺平台生产，单芯片尺寸达到10mm×10mm，单芯片导通电流接近40A，击穿电压超过12kV，为目前公开发表的最大尺寸10kV等级SiC MOSFET芯片。芯片核心性能指标，比导通电阻（Ron.sp）小于120mΩ·cm2，接近SiC材料的理论极限。在芯片制造层面，芯片采用高能离子注入工艺，配合窄JFET区域设计，有效解决了高压SiC器件在击穿电压和导通电阻之间的矛盾。在芯片设计层面，芯片优化了高压终端结构，极大地提升了芯片终端效率并降低了制造难度。

图 本次成果与历史成果对比（黄色虚线为SiC材料理论极限）

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清华大学提出一种集成P+缓冲层的分裂栅极SiC MOSFET新结构

“清华电机”消息，近日，在第37届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025，：IEEE37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上，电机系先进电能变换与电气化交通系统团队发表研究论文“The Latest Fabrication and Experimental Results of 1.2 kV Split-Gate 4H-SiC MOSFET with P+ Buffer”，向全球同行展示了清华大学在功率半导体领域的最新研究成果。

为了进一步提高SiC MOSFET的开关速度与可靠性，郑泽东老师研究团队提出了一种集成P+缓冲层的分裂栅极SiC MOSFET新结构(SG-PB-MOS)，并成功完成了1200V/80mΩ等级器件的流片制备与实验验证。

该结构通过在元胞JFET区中集成P+缓冲注入层，利用电荷耦合效应，显著优化了器件性能：栅氧电场强度峰值降低32.6%，短路耐受时间提升26.8%，器件栅漏电容减小64.3%，衡量器件高频性能的高频优值(HF-FOM)提升达3.01倍。

在与采用相同版图布局的国际厂商Wolfspeed C2M 1200V/80mΩ系列产品的对比测试中，电机系团队研发的器件展现出更优的动态性能，其栅极开关速度显著提升。与此同时，该器件结构兼容已有工艺平台，流片良率高达94%，展现出良好的工程应用潜力，为高效、高可靠、高功率密度碳化硅基变换器提供了创新解决方案。目前，相关核心技术已申请国家发明专利。

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复旦碳化硅器件新突破：成功制备两种布局1.7kV MOSFET

近日，在第37届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025，：IEEE37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上，复旦大学研究团队宣布，其基于电荷平衡理论，通过对离子注入工艺的深度优化，成功设计并制备出正交结构和平行结构两种不同布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。这一创新成果，相较于传统超结结构，在保障器件性能的同时，不仅大幅降低了制造成本，还显著简化了工艺流程，为高压SiC功率器件领域带来全新突破。

从行业发展角度来看，这项研究成果意义深远。仅通过优化离子注入工艺便实现局部电荷平衡效果，成功避免了传统超结器件复杂的多层外延或沟槽填充工艺，这意味着未来高压SiC功率器件的大规模生产将不再受限于高成本、高难度的工艺条件。

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在第37届功率半导体器件与集成电路国际会议（IEEE ISPSD 2025，：IEEE37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）上，深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室、材料学院刘新科研究员团队的三项研究成果入选。

本次入选的三篇论文工作如下：

1.He离子注入终端实现3kV氧化镓功率二极管

本研究报道了一种高稳定性的垂直结构NiO/β-Ga2O3异质结二极管，该器件实现了3kV的高击穿电压和3.10 GW/cm²的巴利加优值。团队创新性地采用氦原子注入技术构建了高效低损伤的边缘终端结构，有效抑制了异质结PN结处的高电场聚集，将Ga2O3异质结二极管的击穿电压从1330 V提升至3000 V。通过拟合分析反向漏电机制，揭示了氦离子注入器件的独特击穿特性。进一步采用氧气退火工艺，将器件的比导通电阻从5.08 mΩ·cm²显著降低至2.90 mΩ·cm²，并提升了器件稳定性。研究成果以“3 kV/2.9 mΩ·cm²β-Ga2O3Vertical p–n Heterojunction Diodes with Helium-implanted Edge Termination and Oxygen Post Annealing”为题目发表在IEEE ISPSD 2025上并作现场口头汇报，第一作者为博士生韩甲俊。

2. GaOx界面工程实现高性能氮化镓MOS电容器

在本研究中，团队采用氢化物气相外延技术，成功生长了低位错密度（~1.5×106cm-2）的单晶氮化镓衬底及其外延层，这些材料被用于制造高质量的垂直氮化镓MOS电容器。团队成功引入了一种界面技术，通过等离子体增强原子层沉积在Al2O3/GaN界面处沉积一层薄薄的氧化镓作为中间层。实验结果显示，这些器件的界面陷阱密度（Dit）低至~8×1010cm-2eV-1，且VFB迟滞仅为50 mV。引入GaOx界面技术不仅有效抑制了栅极漏电流，还钝化了氮和氧相关的空位及悬挂键。这一方法为垂直氮化镓MOSFET的制造提供了新的方法。研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical GaN MOSCapacitors through GaOxInterface Technology”为题目发表在IEEE ISPSD 2025上，第一作者为硕士生林锦沛。

3.高性能垂直p-NiO/n-GaN功率二极管

本研究报道了一种高性能的垂直p-NiO/n-GaN异质结二极管。通过氢化物气相外延技术生长的低位错密度氮化镓晶圆，N面经氧气等离子体处理（OPT）有效缓解了费米能级钉扎效应，并钝化了表面，使接触电阻（ρc）降至3.84×10-6Ω·cm2。通过氧气后退火处理溅射的氧化镍薄膜，优化了异质结界面。因此，击穿电压提升至1135 V，优值（FOM）达到0.23 GW/cm2，导通状态电阻降至5.7 mΩ·cm2。研究成果以“Enhancing Key Performance of Vertical p-NiO/n-GaN Heterojunction Diodes through Plasma Treatment and Oxygen Post-Annealing”为题目发表在IEEE ISPSD 2025上，硕士生黄烨莹、王敏为文章的共同第一作者。

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首个基于GaN HEMT的后处理金刚石

美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith Soman et al, Appl. Phys. Express, v18, p046503, 2025]。研究人员认为这是“使用金刚石均热片对X波段GaN HEMT进行热管理的宝贵平台”。

X波段的频率范围在7-12GHz之间，应用于通信和雷达领域。在高输入功率散热不足导致温度升高的情况下，GaN HEMT会出现性能下降和可靠性降低的问题。人们希望利用导热性高的金刚石，将热量从器件结构中传导出去。

研究人员在GaN HEMT器件有源区的顶部和侧壁集成了金刚石。顶部热提取方法通过沉积金刚石绕过生长堆叠中缓冲层/成核层的高电阻，开辟了另一条散热路径。此外，N极性器件的GaN沟道层下面有一层AlGaN势垒层，使得顶部金刚石距离热点不到10nm，效率极高。”

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华东理科大学氮化镓晶圆检测研究新进展

近日，华东理科大学上海市智能感知与检测技术重点实验室智能传感团队在氮化镓晶圆检测研究中取得重要进展。

团队利用开发的二维有机薄膜忆阻器实现了有图案晶圆的缺陷检测和无图案晶圆的表面粗糙度分类。忆阻器是一种新型的电子元件，具有实时处理、减少延迟、可扩展性和灵活性等显著优势。基于忆阻器的边缘计算被视为一种有潜力的晶圆检测方案。该模型在晶圆表面粗糙度分类中实现了优异的表现，平均精度超过90%。

相关研究成果以“Covalent organic framework-based photoelectric dual-modulated memristors for wafer surface quality evaluation”为题在线发表于Cell Press旗下期刊Matter上。

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安徽大学团队采用氮化镓突破电源功率密度极限，获得世界大奖

安徽大学电气工程与自动化学院胡存刚教授带领的先进电力电子与电能变换团队，近期在电能转换领域取得重大突破。该团队成功创新研制出DC-DC电能转化超高功率密度系列产品，仅需传统百瓦PD快充体积便可实现千瓦基本输出，并已经成为业界现今功率密度最高的DC-DC转换器之一。胡存刚教授团体研发成果荣获日内瓦国际发明展金奖以及安徽省技术发明奖一等奖。

胡存刚教授介绍，团队从新型氮化镓功率器件、高功率密度电路设计、先进数字控制策略三个层面系统开展功率变换器原始创新。其研发的功率转换器，具备体积小巧、功率密度超高、耐恶劣工作环境的特点，突破了传统电源在功率密度方面的局限，仅需传统百瓦手机快充大小，便可实现最高1500W输出，其功率密度远超同类型传统DC-DC电源，达到世界领先水平。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/niZJEidNuSGfqgThPZVb2w

日本住友化学株式会社开发出GaN-on-GaN的量产型QF-HVPE系统

日本住友化学株式会社开发出一种量产型无石英氢化物气相外延（QF-HVPE）系统，该系统能够制备在室温下和低温下均具有创纪录迁移率的氮化镓（GaN）[Shota Kaneki et al, Appl. Phys. Express, v18, p055502, 2025]。该材料在4英寸自支撑GaN衬底和6英寸蓝宝石基GaN模板上均得到了验证。

在量产中，常用于生长高质量GaN层的金属有机气相外延（MOVPE）中难免会有碳污染，HVPE则规避了碳污染。在系统结构中避免使用石英（晶体SiO4），可以更好地控制用于实现n型电子多数传输的硅（Si）掺杂。

研究团队表示，他们的研究可为要求击穿电压超过10kV的应用带来GaN-on-GaN功率器件，这正是电动汽车和无人机的功率驱动系统和逆变器系统所需的。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/UE3RBjEv3Ru89vMIQQgAcg

近期在日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）上，南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓（GaN）功率器件辐照效应研究论文，向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。该工作是在周峰副研究员协助指导下完成，合作单位包括中国空间技术研究院、哈尔滨工业大学、中国科学院近代物理研究所、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子产品可靠性与环境试验研究所。

本次南京大学入选的两项工作成果如下：

1.紫外脉冲激光辐照下650V GaN功率器件的动态非钳位感性开关特性研究

本工作通过开发微区紫外脉冲激光辐照实验技术，克服微米级区域聚焦、激光与重离子关联性等效、厘米级区域Mapping点测、UIS脉冲协同等多个难题，实现在紫外脉冲激光模拟单粒子辐照下评价器件的UIS能力。研究表明，器件的UIS过压从1109 V降低到897 V，衰减了19％；同时发现UIS过程中的冲击能量损失降低。UIS电路建模和数值仿真模拟表明碳掺杂缓冲层中的类受体陷阱会被单粒子辐照诱导的电荷填充，导致局域电场增强，从而恶化器件的动态过压能力；同时UIS充放电阶段的电荷不平衡分布受到辐照效应影响，使得能量损失相较于辐照前略有降低。该项研究结果证实了GaN材料质量会影响器件的UIS辐照性能，抗辐照加固设计一方面需要降低类受体陷阱浓度，改善辐照电荷俘获造成的动态过压能力退化；另一方面，优化漏极侧局域强电场，避免辐照下器件提前击穿烧毁。

2.抗辐照加固设计AlGaN/GaN p-GaN型混合阳极功率二极管

本工作中报道了650V等级抗辐照加固GaN功率二极管，提出AlGaN/GaN p-GaN型混合阳极结构与异质结外延材料相结合的双重加固设计。器件阳极由区域性分段分布的p-GaN层和肖特基接触金属组成，同时在GaN缓冲层与沟道层之间引入了8nm厚度的AlGaN层，将辐照引入的电荷束缚在异质结材料区域内，并在电场作用下通过器件阳极泄放到体外。重离子辐照实验表明，在650V恒压偏置下器件维持低漏电到~107ions/cm2离子注量，单粒子烧毁电压超过800V；进一步在微区紫外脉冲激光辐照下评估了器件的低损耗反向恢复特性。研制的抗辐照GaN功率二极管作为GaN开关器件的功能补充，将拓宽GaN技术在宇航电源中的应用场景。

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MIT新工艺实现高性能GaN晶体管“按需”集成硅芯片

麻省理工学院（MIT）和其他地方的研究人员开发出一种新的制造方法，将高性能 GaN 晶体管以低成本、可扩展的方式集成到标准硅 CMOS 芯片上，并与现有的半导体代工厂兼容。

他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微型晶体管，切割出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管粘合到硅芯片上，以保留两种材料的功能。

由于只需在芯片中添加少量GaN材料，因此成本保持极低，但最终器件却能通过紧凑、高速的晶体管获得显著的性能提升。此外，通过将GaN电路分离成可分布在硅芯片上的分立晶体管，这项新技术能够降低整个系统的温度。

研究人员利用这一工艺制造了功率放大器，这是手机中必不可少的组件，与采用硅晶体管的设备相比，它能够实现更高的信号强度和效率。在智能手机中，这可以改善通话质量、提升无线带宽、增强连接性并延长电池寿命。

由于他们的方法符合标准流程，因此可以改进现有的电子设备以及未来的技术。未来，这种新的集成方案甚至可以实现量子应用，因为在许多类型的量子计算所必需的低温条件下，GaN的性能优于硅。

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美国高校：n型AlN器件最新突破

近期，由美国南卡罗来纳大学和纽约州立大学奥尼昂塔分校联合组成的研究团队提出了一种基于脉冲金属有机化学气相沉积（PMOCVD）的硅掺杂新技术。与传统 MOCVD 过程相比，PMOCVD 技术通过特殊的前驱体脉冲式引入方式，在金属富集条件下实现硅掺杂。在1100℃、40 torr 的相同条件下，利用 PMOCVD 技术生长的 n 型 AlN 层，其传输线模型电流比传统方法高出一个数量级。该研究成果已发表在《复合半导体》上。

在本工作中，通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺，实现了10-4Ω cm2级别的低接触电阻率。最小的接触电阻率达到5.82×10-4Ω cm2。分析揭示，低接触电阻主要归因于稳定的TiAlTi/AlN界面，即使在严格的退火条件下也具有弹性，这有利形成了一个薄的Al-Ti-N中间层，促进了大量的氮空位，增强了界面处的净载流子密度，并降低了接触势垒。这项工作标志着在实现n型AlN的优越欧姆接触方面迈出了重要的一步，为更高效的功率电子和光电器件铺平了道路。

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美国的康奈尔大学：用于下一代器件的AlYN势垒GaN HEMT

美国的康奈尔大学（Cornell University）与德国的弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF）联合报道，铝钇氮化物（AlYN）有望成为氮化镓（GaN）二维电子气（2DEG）沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在势垒材料[Kazuki Nomoto, Appl. Phys. Lett., v126, p223509, 2025]。

研究团队指出：“采用再生的n型GaN欧姆接触与极化诱导的2DEG，器件展现出卓越的直流性能，具体包括较低的阈值电压、饱和漏极电流超过400 mA/mm，以及跨导大于300 mS/mm。”

研究人员还报告称器件具有“接近理想的亚阈值摆幅，最低值为约66–67 mV/decade，这突显了由于界面陷阱密度低，栅极对2DEG沟道电导具有极佳的静电控制能力。”

研究团队认为，这一性能有望推动AlYN势垒GaN HEMT在下一代高效、高频无线通信和功率电子系统中的应用前景。

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宽禁带联盟6项团体标准成功立项

2025年6月5日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）召开2025年度第二次团体标准评审会。经由标委会与会专家投票表决，《碳化硅光波导片》等6项团体标准成功获准立项，《碳化硅单晶抛光片边缘缺陷的自动化检测方法 反射和透射偏振法》等4项标准草案顺利通过评审。

宽禁带联盟现面向全行业开放合作，诚邀碳化硅材料生产、设备制造、终端应用等领域企事业单位参与新立项标准的编制起草工作。有意者可通过以下方式联系联盟标委会，共同推动标准技术落地与产业升级！

邮箱：zhouziji@iawbs.com

本次会议参与研讨标准如下：

图 会议最新立项及在研标准

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2025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办

2025年6月20日，2025企创融通汇——“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办，来自高校科研院所、产业链上下游企业及投资机构的40余位代表齐聚一堂，聚焦宽禁带半导体材料与器件产业，围绕碳化硅产业当前的技术瓶颈、量产进展及国产化关键问题、SiC在AR显示、低空经济等新兴应用中的技术挑战与市场需求以及以金刚石材料为代表的新一代半导体的产业化前景与政策布局方向等核心议题展开深度研讨。

在本次产业问题专家研讨会上，专家们提到目前，以天科合达、天岳先进、烁科晶体、同光股份、晶盛机电、南砂晶圆为代表的国内碳化硅企业已相继成功研发出12英寸碳化硅产品，充分展现了我国在该领域的技术实力。这些成果为企业未来的产品迭代奠定了坚实基础。但需要指出的是，从商业角度考量，企业需要审慎把握向12英寸全面转型的时机。过早大规模投入可能会带来运营成本激增和商业风险加大的问题。从技术层面看，8英寸向12英寸的过渡仍面临减薄工艺、面型参数控制等诸多技术难题，需要产业链上下游通力合作。基于这些因素，预计在未来相当长的一段时间内，8英寸碳化硅衬底仍将保持市场主流地位。

此外，会议还研讨了金刚石热沉材料与金刚石衬底材料发展现状与趋势，专家们一致认为金刚石材料在AI，功率芯片等领域具有巨大的材料优势和广阔空间。

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中电化合物与甬江实验室展开AR眼镜用光学碳化硅晶片合作

6月16日，中电化合物半导体有限公司（以下简称“中电化合物”）与甬江实验室正式签署了战略合作框架协议。此次合作标志着双方将在AR眼镜用光学碳化硅（SiC）晶片领域展开深度研发合作，共同推动SiC材料在增强现实（AR）领域的创新应用，为下一代智能穿戴设备提供更优的光学解决方案。

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宁波丞达精机携手科研力量，引领半导体设备创新

宁波丞达精机股份有限公司与中国科学院宁波材料技术与工程研究所签约，联合成立了“半导体基体材料先进激光加工技术联合实验室”，双方开展深度合作。依托宁波材料所李琳院士领衔的激光极端制造研究中心及其高端人才、技术优势，联合丞达精机，双方将围绕集成电路制造中的晶圆加工领域协同攻关，共同打造全球领先的先进激光加工创新研发平台。双方携手旨在攻克半导体基体材料核心加工工艺及装备难题，实现相关技术的产业化及推广应用，为我国半导体产业提升自主可控能力注入强劲动力。

此外，宁波丞达精机股份有限公司与大连理工大学康仁科教授团队联合攻关的超精密研磨减薄机也成果斐然。作为半导体制造过程中的关键工艺装备，该设备主要应用于晶圆衬底材料研磨减薄以及封测阶段晶圆的背面减薄。它通过对晶圆进行高精度、低损伤的超精密减薄，实现晶圆厚度与平整度的精确控制，有效满足先进封装对超薄晶圆的严苛要求。在当前国内晶圆背面减薄机市场主要被日本等国外企业垄断的情况下，丞达精机与康仁科教授团队合作研发的超精密晶圆磨削系统稳定实现了 12英寸硅晶圆磨削后 TTV＜1μm，表面粗糙度＜5nm，8 英寸碳化硅衬底磨削后 TTV＜2μm，表面粗糙度＜5nm 的技术目标，设备性能达到国内领先和国际先进水平，为国产半导体设备在该领域争得一席之地。

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经纬恒润与长飞先进达成战略合作，共推国产SiC模块量产上车

近日，经纬恒润与安徽长飞先进半导体股份有限公司（以下简称“长飞先进”）顺利完成战略合作协议签约。未来，双方将充分发挥各自在汽车动力及碳化硅功率半导体领域的资源优势，共同推进国产碳化硅模块的车规认证进程及批量生产、交付，助推新能源汽车产业高质量发展。

此次合作，双方将通过紧密合作，打造优势互补、资源共享、共同发展的战略合作伙伴关系，充分利用经纬恒润在汽车动力领域多年的技术积累和成熟的产品经验，发挥长飞先进在碳化硅功率半导体领域的垂直整合优势，联合开发高性能碳化硅功率模块，并共同推进该模块的优化改进、产品化落地、车规级测试认证及批量生产交付。

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纳微半导体携手法国BrightLoop打造下一代氢燃料电池充电解决方案

加利福尼亚州托伦斯2025年6月3日讯——纳微半导体宣布与法国知名电力电子制造商——Brightloop达成合作：纳微的车规级第三代“快速”碳化硅MOSFET将助力Brightloop打造重型农业运输设备专用的氢燃料电池充电器。

BrightLoop所提供的领先高性能解决方案，功率转换效率超过98%，功率密度高达35kW/kg和6kW/L。BrightLoop高压大功率多变流器与其功率流处理器技术相结合，旨在为交流和直流应用（如燃料电池的能源管理场景、重型应用以及高压网络适配）提供卓越性能。

纳微半导体的车规级第三代快速碳化硅 MOSFET应用于BrightLoop 250kW高压DC-DC变换器中，其最大输出电压可达950VDC，最大输出电流为480A，可并联以实现兆瓦级功率能力。

凭借着在碳化硅领域的20年技术创新积累，纳微GeneSiC™独家的“沟槽辅助平面栅”技术可提供业界领先的温度特性，为功率需求高、可靠性要求高的应用提供高速、低温升运行的功率转换方案。第三代快速碳化硅MOSFET相较同类产品不仅效率显著提升，外壳温度也低25°C，同时使用寿命长3倍。

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钧联电子与广汽高域联合开发eVTOL SiC控制器

2025年6月12日，广汽高域正式发布全球首款量产型无人驾驶多旋翼eVTOL（电动垂直起降）航空器——GOVY AirCab，产品预订通道同步开启，售价不超过168万元。并计划逐步展开示范运营落地，2025年底建立粤港澳地区的示范运营区域，2026年底正式开启交付。

钧联电子作为广汽高域电动发动机控制器的合作伙伴，与广汽高域联合开发GOVY AirCab机型电动发动机SiC控制器，为AirCab适航量产机型电动发动机SiC控制器的唯一供应商。

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台湾省国研院国仪中心与鼎极科技合作开发雷射研磨技术

6月24日，据“经济日报”消息，台湾省国研院国仪中心与鼎极科技合作，开发红外线纳秒雷射研磨技术，解决碳化硅（SiC）晶圆制程遇到的成本、效率与良率瓶颈，现将与安森美捷克厂合作，进行技术验证，从Beta-site测试开始，力拼试量产，并迈向量产阶段。

国仪中心指出，此技术可将每片晶圆的研磨时间从3小时缩短为2小时，且不会造成晶圆损伤，晶圆破片率可自5%降至1%，大幅提高产品良率。

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罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

6月23日，罗姆宣布成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。

罗姆的Si MOSFET代表产品“RY7P250BM”被全球云平台企业认证为推荐器件。该产品作为一款为AI服务器必备的热插拔电路专门设计的48V电源系统用100V功率MOSFET，以8080的小型封装实现业界超宽的SOA（安全工作区），并实现仅1.86mΩ的超低导通电阻。在要求高密度和高可用性的云平台中，有助于降低电力损耗并提升系统的可靠性。

此外，罗姆介绍，SiC元器件的优势在于可降低工业等领域中高电压、大电流应用的损耗。英伟达800V HVDC架构旨在为功率超过1MW的服务器机架供电，这对于推进其大规模部署计划也起着至关重要的作用。这一新型基础设施的核心在于可将电网的13.8kV交流电直接转换为800V的直流电。而传统的54V机架电源系统除了受物理空间限制（要满足小型化需求）外，还存在铜材使用量大、电力转换损耗高等问题。

罗姆的SiC MOSFET在高电压、大功率环境下可发挥出卓越性能，不仅能通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，还以超小体积实现了满足高密度系统设计要求的高可靠性。这些特性恰好与英伟达800V HVDC架构所追求“减少铜材使用量”、“将能量损耗最小化”以及“简化数据中心整体的电力转换”等需求相契合。

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英诺赛科与美的威灵，氮化镓战略合作

6月23日，英诺赛科发布公告，宣布与美的威灵达成战略合作，在空调电机驱动领域实现突破，未来将聚焦氮化镓在家用空调电机应用拓展，推动空调产业技术升级。

美的威灵是全球领先的白色家电核心机电部件制造商，客户覆盖众多头部品牌。英诺赛科作为氮化镓芯片制造商，向其提供的Gen3.0高压700V半桥氮化镓晶片，具备高耐压等特性，可提升电机驱动能效。

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Wolfspeed与纽约州立大学理工学院加强教育研究合作，助力推动碳化硅技术创新发展

纽约州立大学理工学院（SUNY Poly）在6月26日举行的新闻发布会上宣布，任命两名教职人员为 Wolfspeed 捐赠讲席教授（Wolfspeed Endowed Chairs），标志着该校研究扩展的重要里程碑。

Mohammed Jasim Uddin 博士被任命为“John Palmour 博士纽约州立大学理工学院捐赠讲席教授”，Bongmook Lee 博士被任命为“John Edmond 博士纽约州立大学理工学院捐赠讲席教授”。

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镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底

2025年5月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工技术方面取得突破性进展，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，使用垂直布里奇曼（VB）法制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，该成果属国际上首次报道。

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宜普电源转换公司（EPC）宣布推出40V GaN FET

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2366，这是一款40V、0.8 mΩ的GaN器件，旨在取代高性能DC-DC转换器、同步整流器等严苛应用中的传统低压硅MOSFET。

据该公司介绍，这款新器件具有业界领先的RDS(on)×QG优值（10 mΩ·nC）、零反向恢复和出色的热性能，可提供更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度。

EPC2366采用紧凑型3.3 mm×2.6 mm PQFN封装，适用于AI服务器和数据通信中的高密度48 V转换器、高频同步整流器、24 V电池供电的电机驱动器。

EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“凭借EPC2366和即将推出的低压器件，我们正将GaN的滩头阵地拓展至长期由硅主导的低压应用领域。”

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酷态科推出氮化镓充电宝，开启便携充电新体验

5月30日，小米生态链企业酷态科在官方微博宣布，即将推出酷态科15AIR氮化镓充电宝。从官微放出的渲染图看，产品保持深灰色设计风格，配备功率显示屏。

氮化镓器件开关速度比传统硅器件更快，能实现更高开关频率与更低导阻，可降低充电宝内部被动器件数量及规格，在有限空间内有效提升转换效率，进而减小产品体积。酷态科15AIR充电宝创新性引入GaN器件，替代传统硅MOS器件，实现更高转换效率，大幅提升充电功率并降低损耗，实际转换效率达97%。与常规15000mAh充电宝相比，其体积缩小26.2%。

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美的集团、合康新能：发布全GaN微型逆变器

6月11日，在2025 SNEC 展会上，美的集团控股子公司合康新能向全球展示新能源领域多个产品系列以及多个场景解决方案。据了解，针对光伏核心设备领域，合康新能此次推出了150kW工商业光伏逆变器、新型全GaN微型逆变器等最新产品。合康新能透露，新型全GaN微型逆变器采用了全GaN架构，效率高达97.6%，功率密度达到650W/L，MPPT低至16V，兼具部署快、成本低等优点。

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兆易创新：500W微逆方案采用GaN

6月10日，兆易创新在官微透露，他们推出了全新500W单级光伏微型逆变器方案，基于纳微半导体双向GaNFast™氮化镓功率芯片，采用单级一拖一微型逆变器架构，具备高效率、低损耗、高集成度及成本优化等优势。

通过优化的混合调制策略，该方案可有效降低电流应力与功率损耗，并结合软开关技术，显著减少开关损耗，使系统实现超过97.5%的峰值效率与97%的CEC效率，同时MPPT效率高达99.9%，最大化提升光伏能量输出。

此外，该方案采用的单级架构实现了直流到交流的直接转换，省去了传统的一级直流-直流变换环节，这不仅提升了功率密度，还减少了器件数量和能量损耗；同时，系统设计实现了高集成度，采用纳微双向氮化镓开关来满足对交流侧双向开关的需求，进一步减小了系统尺寸，并降低整体BOM成本。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/UyKkqsAMzyRx1BoDehExxA

绿联推出全球首款500W GaN 桌面快充

绿联科技（UGREEN）推出了Nexode 500W 6端口GaN桌面快速充电器，这是世界上第一款500W氮化镓（GaN）充电器，旨在以前所未有的功率同时为六台设备充电。它结合了突破性的充电功率、智能安全系统和近乎通用的兼容性，旨在满足专业人士、游戏设置和科技密集型家庭的高性能需求。

Nexode 500W 6端口GaN桌面快速充电器具有5个USB-C端口和1个USB-A 端口，无需多个适配器，可同时为6台设备进行快速充电。专业人士可以通过一个紧凑的单元为五次高端圈数和一部智能手机提供动力，从而整理工作空间并简化生产力。五个USB-C端口之一可以为单个设备提供高达240W的输出，这很容易以最大速度为MacBook Pro 16英寸充电（在大约30分钟内从0充电到60%）。尽管目前市场上能够充分利用240W USB-C 输入充电的设备很少，但UGREEN采取了前瞻性的方法，预测未来的需求并展示了对未来的大胆愿景。

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国内首颗机器人关节“GaN 驱动器芯片”正式商用

近日，中科无线半导体有限公司宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用，是专业为具身机器人、工业机器人、医疗机器人关节上的执行器和电机驱动而定制化设计，是中科半导体机器人动力系统芯片家族中的“机器人关节驱动器芯片系列”成员。

本次量产分别是（CT-1906全集成、CT-1904拓扑设计、CT-1902单集成）三个不同应用场景的高性价比型号。驱动能力涵盖了“无框力矩电机、RV减速机、谐波减速机、行星减速机、摆线针轮减速机、行星滚柱丝杠、轴承组件、伺服电机、液压执行器和气动执行器的高功率密度场景”该芯片展现出了广阔的应用前景。标志着中科半导体在机器人ASIC动力系统芯片技术领域的又一重要突破。

该系列芯片在高温环境下展现出更稳定的性能，具有更小的体积、更高的转换效率和更低的开关损耗。其优势体现在能够有效降低热管理需求，提高系统紧凑度，便于机器人关节实现高效率与小尺寸的模块化设计。这一特性使得机器人重量得以降低，进而提升了机器人的运动姿态稳定性。

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理想汽车SiC MOS新技术，失效率降低一个数量级

理想汽车在第37届ISPSD会议上发表了题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压异常芯片的分析与筛选技术研究）的论文。

该论文表示，SiC外延层中的非致命缺陷会导致SiC MOSFET出现击穿电压异常（BVDSS），最终导致主驱逆变器出现老化测试失效。而理想汽车通过将UIS测试融入到KGD测试中，成功将碳化硅模块的HTRB老化失效率降低了近一个数量级。

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阳光电源发布全球最大容量储能系统

2025年6月，阳光电源再次刷新全球储能技术天花板——PowerTitan3.0正式下线。这款搭载全液冷碳化硅PCS的12.5MWh储能系统，以99.3%的转换效率、93.5%的系统RTE（往返效率），以及GW级黑启动能力，重新定义了大规模储能的性能标杆。

本次PowerTitan 3.0继承前两代优势，在能效、智能、构网等全面升级，并以平台形式发布，将三电融合底层技术，拆分成N个功能模块，让储能功能如同标准化、易耦合、成熟验证的“乐高”积木，让客户灵活配置，随需搭载，无需重新设计本身。同时，依托全球化的仿真、智造、检测、实验、数据等综合实力支撑，让产品跨越2~12h，满足-40℃到55℃极温，海拔5000米不降额，覆盖全球不同构网场景，一个平台，N种搭配，全域覆盖，让安全、性能、成本最优平衡。迎合需求“千面时代”，匹配储能“多元价值”。

东芝公布树脂绝缘型SiC功率半导体模块新技术

近日，东芝发布公告表示，其基于自主研发的“小型芯片布局设计技术”和“基于AI设计优化技术”，开发出了一种“树脂绝缘型SiC功率半导体模块”，能显著提高使用“树脂”作为绝缘基板的SiC功率模块的功率密度（单位面积的功率处理能力）。

此技术可实现功率转换器的小型化，从而减少安装空间和成本，并有望通过电动汽车和可再生能源的进一步普及为实现碳中和做出贡献。

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东芝发布高温场景专用SiC MOSFET与SBD新结构

2025年6月初于熊本举行的ISPSD国际研讨会上，东芝电子元件及存储装置公司发布了一系列针对高温功率转换场景的SiC器件结构创新，涵盖：具备底部p阱结构的沟槽型MOSFET，以及嵌入半超级结柱状结构的SiC肖特基二极管。这两项成果，分别从导通损耗与高温电阻两个技术瓶颈切入，直指电动汽车和可再生能源系统的核心挑战。

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